IXTQ82N27P 时间：2025/8/5 17:00:29 阅读：20

IXTQ82N27P 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）制造的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用P沟道结构，适用于高功率和高频开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性能，适用于电源管理、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等工业和汽车电子系统。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：-250V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：-82A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大32mΩ
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装类型：TO-247AC
　　功率耗散(Pd)：340W

特性

IXTQ82N27P 具备优异的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的平面沟槽栅技术，实现了低栅极电荷（Qg）和快速开关响应，从而适用于高频开关环境。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在高温和高负载条件下稳定工作，适用于严苛的工作环境。
　　其TO-247AC封装提供了良好的散热性能，便于与散热器集成，确保器件在高功率应用中保持稳定运行。该器件还具备较强的短路耐受能力，有助于提高系统的可靠性和安全性。此外，IXTQ82N27P 的栅极驱动电压范围较宽，支持与多种驱动电路兼容，简化了设计和集成过程。

应用

IXTQ82N27P 主要用于高功率和高频率的开关电路中，常见于工业自动化设备、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、DC-DC转换器以及太阳能逆变系统等应用领域。由于其具备高耐压能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。此外，该器件也可应用于汽车电子系统，如电动车辆的车载充电器和电池管理系统（BMS）中。