类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：300V
　　最大漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值为 30mΩ（最大值可能为 35mΩ）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V 至 4V
　　最大栅极电压：±20V
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

IXTQ80N30T 的关键特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件能够在高电流条件下稳定运行，并且具有良好的热稳定性，适用于高功率密度的设计。
　　此外，IXTQ80N30T 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了更快的开关速度，从而减少了开关损耗并提高了动态性能。这使得它非常适合用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器以及电机驱动器等。
　　该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量承受能力，能够承受一定的瞬态过电压和过电流冲击，增强了其在恶劣工作环境中的可靠性。TO-247 封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。
　　另外，该器件的栅极驱动要求相对较低，通常只需要 10V 至 15V 的栅极电压即可完全导通，兼容大多数常见的 MOSFET 驱动器电路。这使得 IXTQ80N30T 在设计和使用上更加灵活和方便。
　　总之，IXTQ80N30T 是一款高性能的功率 MOSFET，适用于多种高功率和高效率应用，具备良好的电气性能、热稳定性和可靠性。

IXTQ80N30T 主要用于需要高电流和高电压能力的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。
　　在开关电源和 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流或主开关拓扑，以提高效率并减小整体尺寸。在电机控制应用中，IXTQ80N30T 可作为 H 桥结构中的功率开关，实现高效、精确的电机调速和方向控制。
　　此外，该 MOSFET 还广泛应用于太阳能逆变器、电焊机、电镀电源等高功率设备中，用于实现高效的能量转换和管理。在这些应用中，其低导通电阻和高电流承载能力能够显著降低功耗，提升系统整体性能。
　　由于其优异的热稳定性和抗冲击能力，IXTQ80N30T 也非常适合用于需要长期连续运行的工业设备和自动化控制系统中。

IXTQ80N30DH、IXTQ80N30T2、IXTQ80N30PH、STP80NF30、IRF840、FDP80N30