类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：150V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：76A
　　导通电阻(Rds(on))：约 0.028Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-247AC
　　功率耗散(Pd)：300W

IXTQ76N15 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高电流处理能力使其能够在大功率负载下稳定工作。此外，其高达 150V 的漏源击穿电压确保了在高压电路中的可靠性。
　　这款 MOSFET 还具备优异的热稳定性和抗雪崩击穿能力，能够在高温环境下持续运行而不会发生性能退化。其快速开关特性也使得它适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。
　　IXTQ76N15 的封装形式为 TO-247AC，这种封装便于安装散热片，并提供了良好的热管理和电气连接。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在多种驱动条件下正常工作。

IXTQ76N15 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、太阳能逆变器以及电池管理系统等。其高电流和高压特性使其成为高性能电源转换系统中的理想选择。
　　在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于构建 H 桥电路，以实现对直流电机或步进电机的精确控制。在太阳能逆变器中，IXTQ76N15 可用于实现高效的 DC-AC 转换，提高能源利用率。此外，在电池充电器和放电器系统中，该器件可用于实现高效率的双向能量流动控制。
　　由于其优异的热性能和可靠性，IXTQ76N15 也常被用于汽车电子系统、工业自动化设备和高功率 LED 照明系统中。

IRF1405, STP75NF75, FDPF76N15