时间：2025/8/6 4:10:40
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IXTQ74N15T 是由 IXYS 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高频率的开关电路中。这款器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适合在电源管理、电机控制、逆变器、焊接设备以及 UPS（不间断电源）等高功率应用中使用。IXTQ74N15T 采用了 TO-247AC 的封装形式，这种封装能够提供良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：1500V
漏极电流（Id）：74A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.074Ω
栅极电压（Vgs）：±30V
最大工作温度：150℃
封装形式：TO-247AC
IXTQ74N15T 是一款高性能的功率 MOSFET，具有多项优良的电气和热特性。首先，它的高耐压能力（1500V）使其非常适合用于高电压应用，如工业电源、逆变器和焊接设备。此外，该器件的导通电阻非常低（典型值为 0.074Ω），这意味着在导通状态下，器件的功率损耗非常小，有助于提高系统的整体效率。
其次，IXTQ74N15T 具有出色的热性能，得益于其 TO-247AC 封装设计，能够有效散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。这种封装形式也使得该器件在 PCB 上安装时更加方便，并具有良好的机械稳定性。
另外，该 MOSFET 支持高达 ±30V 的栅极电压，这在某些需要高栅极驱动电压的应用中非常有用。同时，其最大工作温度可达 150℃，表明它能够在较为严苛的环境条件下运行，适用于工业级和高可靠性要求的系统设计。
最后，IXTQ74N15T 的快速开关特性使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、电源供应器以及电机控制电路。这些特性使得该器件在高功率系统中具有广泛的适用性。
IXTQ74N15T 主要用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统中。常见的应用包括但不限于工业电源、UPS（不间断电源）、焊接机、逆变器、电机控制、太阳能逆变器、电焊机、高压 DC-DC 转换器以及各种高功率开关电源系统。其低导通电阻和高耐压特性也使其在节能型电源设计中表现优异。
IXTQ74N15DH, IXTP74N15T, IXTH74N15T
