时间：2025/8/5 14:34:16
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IXTQ60N20T 是一款由 IXYS 公司制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电力电子设备中，如电源供应器、DC-DC 转换器、逆变器和电机控制器等。该器件采用 TO-220 封装，具有良好的热性能和高可靠性。IXTQ60N20T 属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效率和高开关速度的电路设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：60A
漏-源电压（Vds）：200V
栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：42mΩ（最大值）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
IXTQ60N20T 具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力（200V）使其适用于中高功率应用。该 MOSFET 设计有快速开关特性，可降低开关损耗，提高整体性能。此外，TO-220 封装提供了良好的散热性能，使器件能够在较高功率下稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许灵活的驱动设计，同时具备良好的短路和过载保护能力。IXTQ60N20T 的热阻较低，确保在高负载条件下仍能保持良好的温度管理。其设计还符合 RoHS 环保标准，适合现代绿色电子设备的需求。
IXTQ60N20T 常用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高电流和高电压能力使其成为中高功率应用的理想选择。
IXTQ60N20；IXTQ60N20X；IRF640N；STP60NF20
