时间：2025/8/5 12:42:39
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IXTQ50N20 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率应用。这款器件具有高电流容量和较低的导通电阻，适合用于开关电源、电机控制、逆变器等高功率电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：50A
最大漏源电压：200V
导通电阻（RDS(on)）：0.058Ω（最大）
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXTQ50N20 的主要特性包括其低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率；高电流承载能力使其适用于大功率系统；其 TO-247 封装提供良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定工作。此外，该器件具有快速开关特性，减少了开关损耗，并提高了系统的整体效率。该 MOSFET 设计用于高频率开关应用，具有良好的热稳定性和可靠性。
此外，IXTQ50N20 还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流负载而不损坏。这种特性使其在电机控制和电源管理应用中表现出色。此外，其栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路设计，简化了系统的实现难度。
IXTQ50N20 被广泛应用于多种高功率电子设备，包括但不限于：开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备。其高电流能力和低导通电阻特性也使其成为电动车充电系统和功率因数校正（PFC）电路的理想选择。
STP55NF20, FDP50N20, IRF540N, IXTQ50N25
