时间：2025/8/6 13:07:35
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IXTQ36N50P是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件设计用于高功率开关应用，适用于需要高电流和高电压能力的电路。IXTQ36N50P采用TO-247封装，适合用于电源转换器、电机驱动器和逆变器等高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：36A
导通电阻（Rds(on)）：0.11Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：95nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTQ36N50P具有较低的导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗。该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高效率。此外，其高耐压能力和较大的额定电流使其适合用于高功率密度设计。TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下稳定运行。IXTQ36N50P还具有良好的热稳定性和高可靠性，适合在恶劣工作环境下使用。
该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其高耐压和大电流能力也使其适用于电机控制、UPS系统和工业自动化设备。由于其低导通电阻和良好的热管理特性，IXTQ36N50P在高负载条件下仍能保持较低的温度上升，从而提高系统的整体效率和可靠性。
IXTQ36N50P广泛应用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）系统、工业自动化设备和电源管理系统。由于其优异的性能和可靠性，该器件也常用于电动汽车充电器、太阳能逆变器和高功率LED照明系统。
IXTQ36N50P的替代型号包括IXTQ32N50P、IXTQ40N50P、STW34N50M2、IRFP460LC、IXFN32N50等。
