IXTQ36N50 时间：2025/8/6 2:32:01 阅读：22

IXTQ36N50是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的开关应用。该器件采用TO-247封装，适用于工业电源、开关电源（SMPS）、电机控制和逆变器等高功率场景。IXTQ36N50具有低导通电阻、高耐用性和优异的热性能，能够在高压环境下提供稳定的开关性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：36A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.11Ω（最大）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：200W

特性

IXTQ36N50的特性包括高效的高电压和高电流处理能力，适合用于各种高功率应用。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够减少开关损耗，提高系统的响应速度。IXTQ36N50还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，延长器件的使用寿命。该器件的高耐用性和可靠性使其在严苛的工作环境中表现优异，例如在工业电源、开关电源和电机驱动系统中。
　　此外，IXTQ36N50的封装设计有助于提高散热效率，确保在高功率操作时的稳定性。其栅极驱动设计相对简单，易于集成到现有的功率电子系统中。该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供一定程度的保护。

应用

IXTQ36N50广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制和工业电源。该器件的高电压和高电流能力使其成为高功率转换器和DC-AC逆变器的理想选择。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电系统，IXTQ36N50能够提供高效的功率转换能力。此外，该MOSFET还可用于电动车辆和充电设备中的功率管理系统，确保高效的能量传输和稳定的运行性能。工业自动化设备和不间断电源（UPS）系统也常使用IXTQ36N50来实现高可靠性的功率控制。