时间：2025/8/6 0:29:26
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IXTQ22N50是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器和各种高功率电子设备中。这款MOSFET以其高耐压、低导通电阻和出色的热稳定性而著称，适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：500V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：22A
导通电阻(RDS(on))：0.24Ω
功率耗散(PD)：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTQ22N50具有优异的导通性能和开关特性，能够在高电压和大电流条件下保持稳定运行。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件采用了先进的平面技术，确保了高雪崩能量和良好的短路耐受能力。
该MOSFET还具备快速恢复特性，能够有效降低开关损耗，并且在高温环境下仍能维持良好的性能。其TO-247封装形式提供了良好的散热能力，适用于高功率密度设计。
IXTQ22N50的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路，同时具备较强的抗干扰能力，适用于各种复杂的电磁环境。
该MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中，如AC/DC和DC/DC转换器、功率因数校正(PFC)电路、逆变器、UPS系统、电机驱动器和工业自动化设备。由于其高耐压和大电流能力，IXTQ22N50也常用于新能源领域的功率控制模块，例如太阳能逆变器和储能系统。
STP22N50M5, FQA24N50, IRFP460LC
