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IXTQ220N055T 发布时间 时间:2024/9/13 11:08:25 查看 阅读:147


技术参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  系列:TrenchMV
  FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:4毫欧 25A,10V
  漏极至源极电压(Vdss):55V
  电流-连续漏极(Id) 25°C:220A
  Id时的Vgs(th)(最大):4V 250μA
  闸电荷(Qg) Vgs:158nc 10V
  在Vds时的输入电容(Ciss):7200pF 25V
  功率-最大:430W

封装参数

安装类型:通孔
  封装/外壳:TO-3P
  包装:管件

物理参数

工作温度:-55℃~175℃(TJ)

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IXTQ220N055T参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C220A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs158nc @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7200pF @ 25V
  • 功率 - 最大430W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件