IXTQ220N055T 时间：2024/9/13 11:08:25 阅读：142

技术参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　系列：TrenchMV
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：4毫欧 25A,10V
　　漏极至源极电压(Vdss)：55V
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：220A
　　Id时的Vgs(th)（最大）：4V 250μA
　　闸电荷(Qg) Vgs：158nc 10V
　　在Vds时的输入电容(Ciss)：7200pF 25V
　　功率-最大：430W

封装参数

安装类型：通孔
　　封装/外壳：TO-3P
　　包装：管件

物理参数

工作温度：-55℃~175℃(TJ)

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IXTQ220N055T
上海熠富电子科技有限公司
61888
IXYS
2024/TO3P

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6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

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IXYS/艾赛斯
22+/TO3P

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深圳市集好芯城科技有限公司
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IXYS/艾赛斯
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市腾桩电子有限公司
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IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

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深圳市怡兴业电子科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
4500
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

IXTQ220N055T
深圳市安富世纪电子有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
23+/TO3P

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深圳市佳微科技有限公司
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23+/TO263

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深圳市科鑫美电子有限公司
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深圳市赛恒电子科技有限公司
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深圳市昴泽电子有限公司
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深圳市富科达科技有限公司
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深圳市金嘉锐电子有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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2023+/TO3P3 SC653

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深圳市跃创芯科技有限公司
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2022+/TO3P

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深圳市优美贝电子有限公司
18000
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2023+/TO3P

IXTQ220N055T
深圳市祥润达电子有限公司
18000
IXYS
2023+/TO3P

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IXTQ220N055T参数

标准包装30
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMV™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C220A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs158nc @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds7200pF @ 25V
功率 - 最大430W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装TO-3P
包装管件