时间：2025/8/6 12:22:05
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IXTQ18N60P是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流N沟道MOSFET晶体管。该器件专为需要高效率、高可靠性和高功率密度的电源转换应用而设计，例如在开关电源（SMPS）、电机控制、不间断电源（UPS）和工业自动化系统中广泛使用。该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适用于高温环境下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.22Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTQ18N60P具有多项优异的电气和物理特性。其高电压额定值（600V Vds）使其能够应用于高压电源系统，同时具备良好的抗雪崩能力，以提高系统的可靠性。该器件的低导通电阻（Rds(on)最大为0.22Ω）有助于降低导通损耗，从而提升整体能效。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小电源系统的体积和重量。
TO-247封装提供了优良的热管理性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件还具备较高的抗短路能力，能够在极端工况下提供额外的安全保障。此外，IXTQ18N60P的栅极驱动要求较低，能够与常见的PWM控制器兼容，简化了驱动电路的设计。
IXTQ18N60P主要应用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动器、电焊机、充电器以及LED照明驱动电路等。其高电压和高电流能力使其成为高压DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路的理想选择。此外，该MOSFET也适用于需要高可靠性和稳定性的工业控制和自动化设备。
STW20NM60, FCP18N60, IRG4PC50UD, FDPF18N60
