时间：2025/8/6 9:09:31
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IXTQ182N055T 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 主要设计用于高电流、高效率的功率转换应用，例如开关电源（SMPS）、电机控制和 DC-DC 转换器。该器件采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：180A
最大漏源电压（VDS）：55V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
IXTQ182N055T 具备低导通电阻（RDS(on)）特性，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。其 5.5mΩ 的 RDS(on) 值在同类器件中表现出色，尤其适合用于高电流应用场景。此外，该 MOSFET 的最大漏极电流可达 180A，使其能够承受较大的负载电流，适用于大功率电源设计。
该器件的最大漏源电压为 55V，适用于中等电压范围的功率转换系统。栅源电压范围为 ±20V，允许使用多种类型的栅极驱动器进行控制。TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率运行时仍能保持稳定的工作温度。
IXTQ182N055T 的最大功耗为 300W，在高功率应用中表现出色。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应各种恶劣环境条件，增强了器件的可靠性和稳定性。此外，该 MOSFET 还具备较低的开关损耗，有助于提高系统的整体能效。
IXTQ182N055T 主要应用于高功率电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电机驱动器。在开关电源设计中，该 MOSFET 可用于主开关元件，提供高效的功率转换能力。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高性能电源模块的理想选择。
在电机控制领域，IXTQ182N055T 可用于 H 桥电路或电机驱动器的功率开关部分，能够承受较大的负载电流并提供稳定的控制性能。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的高电流开关控制，确保电池充放电过程的高效和安全。
由于其高功率密度和良好的散热性能，IXTQ182N055T 还可用于工业自动化设备、电动工具和新能源系统（如太阳能逆变器）等应用场景。
IXTQ180N055T, IXTQ160N055T, IXTQ180N075T
