时间：2025/8/6 10:43:26
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IXTQ180N10T是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用了先进的技术，提供了卓越的导通和开关性能，适用于诸如DC-DC转换器、电机控制和电源管理等应用。
类型：N沟道
最大漏极电流：180A
最大漏极-源极电压：100V
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ
栅极电荷：250nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
IXTQ180N10T具有低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高效率。其高电流容量和高耐压特性使其适用于高功率应用。该MOSFET还具有较低的栅极电荷，从而减少了开关损耗。
此外，IXTQ180N10T的封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，确保在苛刻的工作环境下的可靠性。其宽工作温度范围也使其能够在极端温度条件下正常工作。
IXTQ180N10T主要用于高功率开关应用，例如工业电源、DC-DC转换器、电动车辆的电源管理系统、太阳能逆变器以及电机驱动器。此外，该器件也可用于需要高效能和高可靠性的消费类电子产品和电信设备。
IXFN180N10T, IRFP4668PBF
