时间：2025/8/6 12:38:02
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IXTQ160N10T 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高电流、高频率的功率转换应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，使其非常适合用于开关电源、电机控制、逆变器和其他高功率应用。
类型: N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds): 100V
最大栅源电压(Vgs): ±20V
最大连续漏极电流(Id): 160A
导通电阻(Rds(on)): 2.8mΩ（典型值）
工作温度范围: -55°C ~ +175°C
封装类型: TO-247AC
功率耗散(Pd): 350W
输入电容(Ciss): 5000pF（典型值）
开启阈值电压(Vgs(th)): 2.0V ~ 4.0V
IXTQ160N10T 具有低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中功耗更低，效率更高。该器件的快速开关特性可以减少开关损耗，提高系统整体效率。此外，它具有高雪崩能量耐受能力，可以在严苛的工作条件下提供更高的可靠性和稳定性。TO-247AC 封装设计有助于散热，确保在高功率环境下稳定运行。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下长时间工作而不会损坏。其栅极驱动要求较低，适用于多种驱动电路设计，降低了设计复杂度并提高了系统的兼容性。
IXTQ160N10T 主要用于高功率开关电源（如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源）、电机驱动器、逆变器（如太阳能逆变器、UPS 系统）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统中。其优异的导通和开关性能使其在需要高效能和高可靠性的电力电子系统中表现出色。
IXTQ160N10T 的替代型号包括 IXFN170N10T 和 IRFP4468PBF，这些型号在电气性能和封装形式上相近，适用于类似的高功率应用场景。
