时间：2025/8/6 13:02:28
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IXTQ100N25P 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效率和高电流处理能力的电力电子设备中。这款 MOSFET 设计用于高频率开关应用，具有较低的导通电阻和优异的热性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流 (Id)：100A
漏源击穿电压 (Vds)：250V
栅源击穿电压 (Vgs)：±30V
导通电阻 (Rds(on))：最大值为 0.026Ω
工作温度范围：-55°C 至 175°C
IXTQ100N25P 的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其导通电阻在最大额定电流下依然保持在非常低的水平，使得该器件非常适合用于高电流应用。
此外，该 MOSFET 具有高耐压能力，漏源电压额定值为 250V，确保其能够在高压环境下安全运行。栅极的 ±30V 耐压设计提供了更高的安全裕度，防止栅极电压波动引起的损坏。
该器件采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其高电流承载能力（100A）使得在电源转换、电机控制等高功率场合中表现出色。
IXTQ100N25P 的另一个优势是其快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗，并有助于减小外部电感和电容的尺寸。这种特性使其成为开关电源、DC-DC 转换器和逆变器的理想选择。
同时，该器件具有良好的温度稳定性，能够在极端工作温度下（-55°C 至 175°C）保持稳定性能，适用于各种严苛环境下的应用。
IXTQ100N25P 广泛应用于高功率开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器）等。其高电流和高耐压特性也使其适合用于电动工具、电动汽车充电系统和电池管理系统等高功率应用领域。
IXFH100N25P, IXTP100N25P
