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IXTQ100N25P 发布时间 时间:2025/8/6 13:02:28 查看 阅读:20

IXTQ100N25P 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于需要高效率和高电流处理能力的电力电子设备中。这款 MOSFET 设计用于高频率开关应用,具有较低的导通电阻和优异的热性能,使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏极电流 (Id):100A
  漏源击穿电压 (Vds):250V
  栅源击穿电压 (Vgs):±30V
  导通电阻 (Rds(on)):最大值为 0.026Ω
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

IXTQ100N25P 的核心特性之一是其低导通电阻,这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其导通电阻在最大额定电流下依然保持在非常低的水平,使得该器件非常适合用于高电流应用。
  此外,该 MOSFET 具有高耐压能力,漏源电压额定值为 250V,确保其能够在高压环境下安全运行。栅极的 ±30V 耐压设计提供了更高的安全裕度,防止栅极电压波动引起的损坏。
  该器件采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。其高电流承载能力(100A)使得在电源转换、电机控制等高功率场合中表现出色。
  IXTQ100N25P 的另一个优势是其快速开关特性,支持高频操作,减少开关损耗,并有助于减小外部电感和电容的尺寸。这种特性使其成为开关电源、DC-DC 转换器和逆变器的理想选择。
  同时,该器件具有良好的温度稳定性,能够在极端工作温度下(-55°C 至 175°C)保持稳定性能,适用于各种严苛环境下的应用。

应用

IXTQ100N25P 广泛应用于高功率开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备以及新能源系统(如太阳能逆变器)等。其高电流和高耐压特性也使其适合用于电动工具、电动汽车充电系统和电池管理系统等高功率应用领域。

替代型号

IXFH100N25P, IXTP100N25P

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IXTQ100N25P参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHT™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs185nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6300pF @ 25V
  • 功率 - 最大600W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件