时间：2025/8/5 14:55:02
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IXTP8N50是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET的设计旨在提供高性能和可靠性，适用于各种高电压和高电流操作环境。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：8A
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.47Ω
功率耗散（Ptot）：125W
IXTP8N50 MOSFET具有多个关键特性，使其在功率电子设计中非常受欢迎。首先，它的高耐压能力允许在高压应用中使用，例如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。其500V的最大漏源电压确保了在较高电压环境下工作的稳定性。
其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.47Ω，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。这对于需要高效率的电源转换系统尤为重要。
IXTP8N50 MOSFET主要应用于需要高电压和中等电流的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器、照明镇流器以及工业自动化设备中的功率开关。由于其高可靠性和热稳定性，它也适用于需要长时间运行的系统，如不间断电源（UPS）和太阳能逆变器。
IRF840, FQP8N50C, STP8NK50Z
