IXTP76N075T 时间：2025/8/6 12:59:07 阅读：11

IXTP76N075T 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier，简称 IR）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高效率的功率转换应用，如电源供应器、DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器和电池管理系统等。IXTP76N075T 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，使其在高负载条件下依然保持高效运行。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：75V
　　漏极电流（Id）：76A（连续）
　　Rds(on)（最大值）：8.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB
　　技术：沟槽式 MOSFET

特性

IXTP76N075T 具备一系列出色的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于大功率应用，如工业电源、电机控制和电动车电源系统。此外，其沟槽式结构优化了开关性能，减少了开关损耗，提高了整体能效。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220AB，具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于严苛的工业和汽车环境。同时，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了系统的稳定性和可靠性。
　　IXTP76N075T 还具备良好的栅极稳定性，能够承受高频率的开关操作，适用于高频电源转换器和同步整流器。此外，其低输入电容（Ciss）和低反向恢复电荷（Qrr）有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统响应速度。

应用

IXTP76N075T 广泛应用于多种高功率电子设备中。它常见于工业电源、UPS（不间断电源）、DC-DC 转换器、电机驱动器和逆变器等系统中，用于实现高效的功率控制和能量转换。由于其高电流能力和低导通损耗，该器件非常适合用于需要大电流输出的电源管理系统，如服务器电源和通信设备电源模块。
　　在汽车电子领域，IXTP76N075T 可用于电动车的电池管理系统、车载充电器和电机控制器。其高可靠性和宽工作温度范围使其在汽车应用中表现出色。此外，该 MOSFET 也适用于太阳能逆变器、储能系统和智能电网设备等新能源应用。
　　该器件还可用于自动化控制系统、机器人驱动器和工业自动化设备中的功率开关，提供高效、稳定的电流控制。由于其高频响应能力，也适用于高频开关电源和同步整流电路。