时间：2025/8/6 9:49:05
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IXTP72N20T是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高电压的电力电子应用。该器件具有较低的导通电阻、较高的开关速度和良好的热稳定性，广泛用于电源转换器、马达控制、逆变器等功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
连续漏极电流（Id）：72A
导通电阻（Rds(on)）：0.032Ω（最大）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
IXTP72N20T具有多个关键特性，使其适用于高性能功率电子系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件支持高达200V的漏源电压和72A的连续漏极电流，能够处理高功率负载。此外，其高功率耗散能力（300W）确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET的栅极阈值电压为4.5V，与常见的栅极驱动器兼容，便于设计和集成。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于各种恶劣环境下的应用，例如工业自动化、电动汽车和可再生能源系统。此外，该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于高可靠性和高功率密度的设计需求。
IXTP72N20T广泛应用于需要高功率处理能力的电子系统，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）。此外，该器件也适用于高频开关应用，如谐振转换器和软开关拓扑结构，以实现更高的效率和更小的系统尺寸。
IXTP72N20X, IRFP460LC, STP72N20K5, FCP72N20
