IXTP5P20 时间：2025/8/6 4:25:26 阅读：21

IXTP5P20 是由 IXYS 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高电压和高功率的应用场景，其漏源电压（VDS）额定值为 200V，漏极电流（ID）在 25°C 时为 4.4A。这款 MOSFET 设计用于高效率电源转换器、电机控制和 DC-DC 转换器等应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）@25°C：4.4A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.35Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：62W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

IXTP5P20 MOSFET 具有优异的导通和开关性能，能够在高电压环境下稳定工作。其低导通电阻（RDS(on)）为 1.35Ω，在高电流负载下仍能保持较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性，其最大功率耗散为 62W，适合在高功率密度设计中使用。IXTP5P20 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅源电压，这使得它在不同类型的驱动电路中都具有良好的兼容性。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-220AB，这种封装具有良好的散热性能，并且便于安装在散热片上，适用于需要高效散热的工业级应用。IXTP5P20 还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。

应用

IXTP5P20 常用于各种高电压和高功率的电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及逆变器等。在工业自动化和电机控制领域，这款 MOSFET 可以作为功率开关器件，实现对电机速度和方向的精确控制。
　　在太阳能逆变器和储能系统中，IXTP5P20 也被广泛使用，作为 DC-AC 转换电路中的关键元件。此外，该器件也适用于高频开关电路，能够在较高的开关频率下保持良好的效率和稳定性。
　　由于其高可靠性和宽温度工作范围，IXTP5P20 也适合用于汽车电子、通信电源和工业测试设备等对性能要求较高的应用场景。