时间：2025/8/5 23:10:13
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IXTP50N03 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高电流、高效率的开关应用，适用于多种电源管理和电机控制电路。IXTP50N03 采用先进的技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和优异的热性能，能够在高负载条件下保持稳定工作。该器件封装为 TO-220，便于散热并适用于标准的 PCB 安装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：50A
RDS(on)：最大 7.5mΩ（典型值为 5.3mΩ，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V 至 2.5V
最大栅极电压（VGS）：±20V
最大耗散功率（Ptot）：125W（Tc=25°C）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IXTP50N03 的主要特性包括其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。该器件的高电流处理能力（50A）使其适用于高功率密度的设计。此外，其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）有助于实现更快的开关速度，从而降低开关损耗。
该 MOSFET 具有良好的热稳定性，采用先进的封装技术，确保在高电流工作时具有良好的散热性能。TO-220 封装形式不仅便于安装，还支持良好的热管理和机械稳定性。
IXTP50N03 还具有高耐用性和可靠性，适用于各种恶劣工作环境。其宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）确保在高温条件下仍能稳定运行。此外，该器件的高耐压能力（30V）使其适用于多种中低压功率应用。
IXTP50N03 广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中，包括直流-直流转换器、电机控制器、电池充电器、负载开关和电源管理模块。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为高效率电源转换的理想选择。
在电机控制应用中，IXTP50N03 可用于驱动直流电机或步进电机，提供高效的开关控制和良好的热管理性能。此外，该器件也适用于工业自动化系统、汽车电子系统以及消费类电子产品中的电源管理电路。
IRF540N, FDP50N30, FQP50N30, STP50NF03
