IXTP4N90A 时间：2025/8/6 5:05:23 阅读：17

IXTP4N90A是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，适用于多种高电压和高电流的应用场景。该器件采用先进的MOSFET技术，具有出色的导通和开关性能，同时在高温环境下保持稳定性。IXTP4N90A广泛用于工业控制、电源转换、电机驱动和汽车电子等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：2.2Ω
　　栅极电压(Vgs)：±30V
　　功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

IXTP4N90A具有多项突出特性，使其适用于高要求的电子设计。首先，其高漏源电压额定值（900V）允许在高电压环境下稳定运行，适用于高压电源和功率转换设备。其次，该器件的导通电阻为2.2Ω，保证了较低的导通损耗，从而提高了系统效率。此外，IXTP4N90A的栅极电压范围较宽（±30V），使其能够兼容多种驱动电路，提供更大的设计灵活性。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和高功耗额定值（125W），能够在高温环境下可靠运行。其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于各种高功率应用场景。IXTP4N90A还具有快速开关能力，减少了开关损耗，提高了整体系统性能。最后，该器件的设计符合工业级标准，确保在严苛环境下的长期可靠性。

应用

IXTP4N90A适用于多种高功率和高电压应用，包括但不限于以下领域：1. 工业电源和开关电源设计；2. 电机驱动器和逆变器系统；3. 高压DC-DC转换器；4. 电动汽车和充电设备中的功率管理模块；5. 照明系统（如HID灯镇流器）；6. 电池管理系统和储能设备。由于其高耐压能力和良好的导通性能，IXTP4N90A在这些应用中能够提供高效、可靠的功率控制解决方案。