IXTP4N90 时间：2025/8/6 4:51:01 阅读：16

IXTP4N90 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、高速功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于需要高效率、高可靠性和快速开关特性的应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制和照明系统等。IXTP4N90 采用 TO-220 封装，具有良好的热性能和耐用性，适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（典型值）
　　阈值电压（VGS(th)）：4V（最小值）
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

IXTP4N90 MOSFET 的核心特性之一是其高耐压能力，漏源电压可高达 900V，这使得它非常适合用于高电压输入的电源系统中。此外，该器件的导通电阻较低，仅为 2.2Ω，有助于减少导通损耗，提高整体效率。其快速开关特性也降低了开关损耗，提升了系统的响应速度和稳定性。
　　该 MOSFET 具有较高的热稳定性，能够承受较大的功率耗散，TO-220 封装形式提供了良好的散热性能，使其能够在较高的环境温度下稳定运行。栅源电压范围较宽（±30V），增强了其在不同应用中的适应性。同时，该器件的阈值电压为 4V，确保了在常见的控制电压下能够可靠导通。
　　IXTP4N90 还具有较高的耐用性和可靠性，适用于长时间运行的工业设备和高要求的电源管理系统。其设计考虑了在极端环境下的运行能力，确保在各种工作条件下都能保持稳定的性能。

应用

IXTP4N90 被广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、LED 照明驱动器、电机控制器以及各种工业自动化设备。由于其高电压能力和快速开关特性，它非常适合用于需要高效能转换和调节的系统中。例如，在开关电源中，IXTP4N90 可以作为主开关元件，实现高效的能量转换；在电机控制应用中，它可以作为功率开关，控制电机的转速和方向；在 LED 照明系统中，该器件可以用于恒流驱动电路，确保光源的稳定性和寿命。
　　此外，IXTP4N90 也常用于逆变器和不间断电源（UPS）系统中，作为核心功率器件来实现直流到交流的转换。其高耐压和低导通电阻的特性使其成为这些高要求应用中的理想选择。