时间：2025/8/5 19:17:54
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IXTP4N80A是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种高电压、高功率应用中。该器件采用TO-247封装，适用于开关电源、逆变器、马达驱动和工业控制系统等场合。IXTP4N80A具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，是工业电子和电源转换设备中常见的功率开关元件。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：800V
连续漏极电流(Id)：4A（@25°C）
导通电阻(Rds(on))：2.2Ω（最大值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：3V至5V
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：TO-247
IXTP4N80A的导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高效率，这对于高功率密度设计至关重要。其800V的漏源电压额定值使其适用于高电压应用，例如开关电源和逆变器。此外，该MOSFET具备快速开关特性，可有效降低开关损耗，提高系统效率。器件的热稳定性良好，能够承受较高的工作温度，从而提高设备的可靠性和寿命。在制造工艺上，IXTP4N80A采用了先进的硅技术，确保了器件的稳定性和耐用性，适用于苛刻的工业环境。
该MOSFET的栅极驱动要求较低，适合多种控制电路的直接驱动，简化了驱动电路的设计。同时，其良好的短路耐受能力也增强了系统在异常情况下的稳定性。IXTP4N80A还具备较低的漏电流，在关闭状态下可减少不必要的功耗，提高系统整体效率。
IXTP4N80A广泛应用于各种高电压和高功率场景中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达控制、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。在这些应用中，IXTP4N80A能够有效地进行电能转换与控制，提高设备的效率和可靠性。此外，该器件也可用于需要高耐压和高稳定性的测试设备和电源管理系统。
STP4NK80Z、FQP8N80、IRF840、SPW20N80C3、TK20A80D
