IXTP4N60 时间：2025/8/6 3:32:40 阅读：17

IXTP4N60是一款由Infineon Technologies（英飞凌）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它属于CoolMOS?系列，该系列以高效率和卓越的热性能而闻名。IXTP4N60采用TO-220封装，适用于需要高电压和高电流处理能力的电源应用。该MOSFET的额定电压为600V，连续漏极电流为4A，在开关电源、逆变器和电机控制等应用中表现优异。

参数

类型：功率MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.2Ω（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为25nC
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　最大功耗（PD）：62W

特性

IXTP4N60具有低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其CoolMOS技术提供了卓越的开关性能，使其非常适合用于高频开关应用。此外，该器件具有较低的反向恢复电荷（Qrr），有助于减少开关损耗并提高系统效率。IXTP4N60还具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下可靠运行。其高雪崩能量能力确保了在极端条件下的稳定性和耐用性。此外，该MOSFET具有较高的dv/dt耐受能力，能够防止在快速开关过程中发生意外击穿。

应用

IXTP4N60广泛应用于多种电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC转换器、逆变器、UPS系统、照明镇流器以及工业电机控制。它还可用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统等新能源领域。由于其出色的性能和可靠性，该器件在需要高效能和高可靠性的工业和消费类应用中得到了广泛应用。