时间：2025/8/6 3:14:57
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IXTP4N50A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司生产。该器件专为高电压和高电流应用设计，适用于电源转换、马达控制、逆变器和各种开关电源系统。其主要特点是高耐压、低导通电阻以及快速开关性能。
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：2.5Ω（最大值）
功耗(Pd)：60W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
IXTP4N50A具有低导通电阻，能够在高电压条件下实现高效的功率转换，降低功率损耗并减少发热。该器件的快速开关特性使其适用于高频开关电路，提高了系统的整体效率。
该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态条件下的可靠性，适用于需要高稳定性的工业和汽车电子应用。
其封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，适合在各种高功率密度设计中使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于环保型电子设备。
IXTP4N50A广泛应用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、马达驱动器、充电器、LED照明系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF840, FQP5N50C, STP4NK50Z
