时间：2025/8/6 4:49:03
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IXTP4N100A是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压、高效率的开关应用。该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能和较高的可靠性，适用于工业控制、电源转换、马达驱动等多种电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1000V
最大漏极电流(Id)：4A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：2.2Ω（最大）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
最大功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C至+175°C
IXTP4N100A具备出色的高压承受能力和稳定的导通性能。该器件采用了先进的平面技术，确保了低导通电阻，并具有快速开关特性，从而减少了开关损耗。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。其TO-220封装形式适用于通孔安装，具备良好的机械稳定性和热管理能力。
该器件的栅极驱动设计简单，能够与标准逻辑电路兼容，从而简化了控制电路的设计。IXTP4N100A还具备良好的短路和过载承受能力，使其适用于要求高可靠性的应用场景。此外，其低漏电流特性保证了在关断状态下的低功耗，提高了整体系统的效率。
IXTP4N100A广泛应用于高电压DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、逆变器、马达控制电路、照明系统以及工业自动化设备中。其高压特性也使其适用于光伏逆变器和不间断电源(UPS)等新能源相关系统。
STP4NK10Z、FQP10N10、IRF840、IXTP4P100A
