您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTP48P05T

IXTP48P05T 发布时间 时间:2025/8/6 12:31:56 查看 阅读:6

IXTP48P05T 是一款由 Littelfuse(前身为 International Rectifier)生产的 P 沟道功率 MOSFET。这款 MOSFET 采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻和高可靠性,适用于多种电源管理应用。该器件封装为 TO-220,适合于需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

类型:P 沟道
  最大漏源电压(VDS):-50V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):-48A
  导通电阻(RDS(on)):12mΩ(最大值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220
  功耗:300W

特性

IXTP48P05T 采用先进的沟槽技术,使得导通电阻非常低,从而降低了功率损耗并提高了效率。该器件的低栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现优异,减少了开关损耗。
  此外,该 MOSFET 具有高雪崩能量能力,能够承受瞬时过电压情况,提高了器件的可靠性和稳定性。其坚固的封装设计和宽广的工作温度范围使其适用于各种恶劣工作环境。
  该器件还具备良好的热性能,能够有效散热,确保在高负载条件下的稳定运行。TO-220 封装便于安装和散热片连接,适合于各种电源和功率电子设备。

应用

IXTP48P05T 主要用于需要高效功率管理的应用,如 DC-DC 转换器、电机控制、电源开关、电池管理系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源部分。由于其高可靠性和低导通电阻,它也常用于需要高效率和高稳定性的电源设计中,例如服务器电源、UPS(不间断电源)、汽车电子系统以及太阳能逆变器等。
  此外,该 MOSFET 可用于负载开关应用,例如控制高功率负载的接通和断开,以及用于电机驱动器中的 H 桥结构。在电源管理领域,该器件也广泛应用于同步整流器和负载共享电路。

替代型号

IRF9540N, FDP047N05A, FQP47P05

IXTP48P05T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTP48P05T参数

  • 现有数量50现货
  • 价格1 : ¥33.95000管件
  • 系列TrenchP?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)50 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)48A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)30 毫欧 @ 24A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)53 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3660 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3