时间：2025/8/5 17:57:11
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IXTP48N05T是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司制造，广泛应用于各种功率转换和管理电路中。该器件设计用于高效地处理高电流和中等电压应用，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。IXTP48N05T采用TO-220封装，适合于需要紧凑布局和高可靠性的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：55V
最大漏极电流（Id）：48A
导通电阻（Rds(on)）：约6.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功率耗散（Ptot）：180W
工作温度范围：-55°C至+175°C
IXTP48N05T的主要特性之一是其低导通电阻，约为6.5mΩ，这使得在高电流条件下导通损耗显著降低。该器件采用了先进的平面技术，提供出色的开关性能，适用于高频应用。低导通电阻不仅减少了导通损耗，还降低了工作温度，从而提高了系统的整体效率。
此外，IXTP48N05T具有高耐压能力，最大漏源电压为55V，能够承受一定的电压波动，确保在不同工作条件下的稳定性。该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V，使得其适用于多种驱动电路设计。
IXTP48N05T的最大漏极电流为48A，能够满足高功率应用的需求。同时，其最大功率耗散为180W，确保在高温环境下仍能稳定工作。该器件的工作温度范围从-55°C到+175°C，表现出良好的温度适应性，适用于各种恶劣环境。
IXTP48N05T常用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理和电池充电器等应用中。由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统。在DC-DC转换器中，IXTP48N05T可以有效降低导通损耗，提高转换效率。在电机驱动应用中，该器件能够承受高电流负载，确保电机的稳定运行。此外，IXTP48N05T还广泛应用于电池管理系统中，用于控制电池的充放电过程。
IRF48N05, STP48NF05
