时间：2025/8/6 12:43:22
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IXTP460P2 是一款由 Littelfuse（前身为 IXYS Corporation）制造的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率开关和高压控制应用。该器件采用 TO-247 封装，具备高耐压和高电流承载能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器等工业和汽车电子系统。
类型：P 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：-400V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.6A
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω @ VGS = -10V
最大功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-247
引脚数：3
IXTP460P2 采用先进的平面沟槽栅技术，提供低导通电阻和快速开关性能，从而减少导通损耗和开关损耗。该器件具有较高的热稳定性和耐用性，适合在高温环境下运行。此外，其坚固的封装设计有助于提高在高电压和高电流条件下的可靠性。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 -10V 至 +10V 的栅极控制，提高了其在不同控制电路中的适应性。同时，其内部结构优化，具备较强的雪崩能量承受能力，适用于需要高可靠性的电源系统。
IXTP460P2 还具备良好的短路耐受性，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，这对于电机控制和负载切换等应用尤为重要。
IXTP460P2 主要用于高电压和高功率的应用场景，例如电源开关、逆变器、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也适用于需要高耐压和中等电流能力的汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）和车载充电器等。
由于其高可靠性和良好的热管理性能，IXTP460P2 也广泛用于需要频繁开关操作的电路中，如开关电源（SMPS）和LED驱动电源。在太阳能逆变器和储能系统中，该 MOSFET 可用于高效能量转换和电能管理模块。
IXTP460P2 可以被 IXTP480P2、IXTP4N40P 或 STP4NK40Z 替代，这些型号在参数上具有相似的电压和电流额定值，并且封装形式相同，适合在大多数应用中进行直接替换。在选择替代器件时，建议根据具体应用需求（如开关频率、散热条件等）进行详细评估。
