时间：2025/7/14 16:00:00
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IXTP3N120是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的高性能功率MOSFET晶体管，属于其广泛使用的CoolMOS系列。该器件采用先进的超结（Super Junction）技术，显著降低了导通电阻和开关损耗，适用于高效率电源转换应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：1200V
连续漏极电流(Id)：3A
最大耗散功率(Pd)：54W
栅极电荷(Qg)：76nC
导通电阻(Rds(on))：1.05Ω
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
IXTP3N120的核心优势在于其基于超结结构的低导通电阻与优异的热性能，使其在高电压应用中表现出色。
该器件具备出色的开关性能，能够有效降低高频开关过程中的能量损耗，从而提升系统效率。
此外，它具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合用于要求较高的工业环境。
封装设计优化了散热性能，便于安装和使用，同时符合RoHS环保标准。
IXTP3N120被广泛应用于各种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、马达驱动器、LED照明系统以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）。
由于其高耐压和优良的导通特性，它也非常适合用于高功率密度设计和高效能转换器拓扑结构中，例如LLC谐振转换器和PFC（功率因数校正）电路。
STP3NK120Z, SPD11N120C3, IPW65R045CFD7S
