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IXTP3N100P 时间：2024/9/6 15:27:20 阅读：455

技术参数

耗散功率：125W(Tc)
　　漏源极电压(Vds):1000 V
　　上升时间:27 ns
　　输入电容(Ciss):1100pF 25V(Vds)
　　下降时间:29 ns
　　工作温度(Max):150℃
　　工作温度(Min):-55℃
　　耗散功率(Max):125W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
　　引脚数:3
　　封装:TO-220-3

物理参数

工作温度:-55℃~150℃(TJ)

IXTP3N100P推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

IXTP3N100P
深圳市念芯电子有限公司
1517
IXYS
15+/TO220

IXTP3N100P
深圳市鹏翔新科技有限公司
8000
IXYS/艾赛斯
24+/TO247

IXTP3N100P
深圳市芯福林电子科技有限公司
8532
IXYS/艾赛斯
-/20+

IXTP3N100P
深圳市奥利腾科技有限公司
20000
IXYS
22+/TO220

IXTP3N100P
深圳市郓州科技有限公司
6500
IXYS/艾赛斯
2024+/TO220

IXTP3N100P
深圳市华美锐电子有限公司
5027
IXYS
23+/TO220

IXTP3N100P
深圳市华美锐科技有限公司
3000
IXYS
N/A/TO220

IXTP3N100P
深圳市科翼源电子有限公司
2387
IXYS
24+/TO220

IXTP3N100P
得捷（深圳）商贸有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
22+/TO220

IXTP3N100P
深圳市科圳威电子有限公司
60701
IXYS
24+/TO220

IXTP3N100P
深圳市华睿芯科技有限公司
20000
ADI
2023+/SOP

IXTP3N100P
深圳市金灿利电子科技有限公司
138000
IXYS/艾赛斯
23+/TO220

IXTP3N100P
深圳市科鑫美电子有限公司
28683
IXYS
21+/TO220

IXTP3N100P
深圳市集达胜电子科技有限公司
28800
IXYS
22+/TO220

IXTP3N100P
深圳市博芯创达科技有限公司
13564
IXYS
1806+/TO2203

IXTP3N100P
深圳市科芯源微电子有限公司
65286
IXYS
21+/-

IXTP3N100P
深圳市捷立辉科技有限公司
11980
IXYS/艾赛斯
22+/TO247

IXTP3N100P
深圳市广运诚科技有限公司
8391
IXYS
22+/TO220

IXTP3N100P
深圳市跃创芯科技有限公司
30000
IXYS/艾赛斯
2022+/TO220

IXTP3N100P
深圳市安富世纪电子有限公司
6000
IXYS/艾赛斯
23+/TO220

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IC词条百科

IXTP3N100P产品

IXTP3N100P欢迎咨询

IXTP3N100P参数

标准包装50
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列PolarVHV™
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 25V
功率 - 最大125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220
包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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