时间：2025/8/6 3:38:58
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IXTP3N100A是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压、高频率的开关应用。该器件采用TO-247封装，具备较低的导通电阻和出色的热性能，能够有效应对高功率需求。IXTP3N100A主要应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子产品中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：1000V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：3A
功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXTP3N100A具有多项优秀的电气和热性能。首先，其最大漏源电压高达1000V，使其适用于高电压工作环境，例如高压电源或工业控制系统。此外，该MOSFET的栅源电压范围为±30V，提供了较强的栅极驱动能力，同时确保在极端条件下仍能稳定运行。在电流方面，IXTP3N100A能够承受最大3A的连续漏极电流，这使其适用于中等功率的开关应用。
该器件的导通电阻相对较低，有助于减少导通损耗，提高能效。其125W的最大功耗配合良好的散热设计，能够有效处理高功率应用中的热量积累，从而提升系统的稳定性和可靠性。此外，IXTP3N100A的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保其能够在极端环境条件下正常运行，适用于各种严苛的工业和消费电子场景。
IXTP3N100A被广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、高压电源转换器、DC-DC转换器、电机控制电路、逆变器以及工业自动化系统。在开关电源中，该MOSFET用于高频开关操作，提高电源转换效率；在DC-DC转换器中，其高耐压能力和低导通电阻可减少能量损耗，提升转换效率；在电机控制应用中，IXTP3N100A能够提供稳定的开关性能，适用于各种电机驱动电路。
此外，该MOSFET还适用于消费类电子产品中的电源管理模块，例如充电器、适配器和其他便携式设备。在工业环境中，IXTP3N100A常用于自动化控制系统、不间断电源（UPS）以及照明设备中的功率调节模块。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件也可用于要求苛刻的户外和工业设备，确保在高温和高湿度环境下稳定运行。
STP3NA100Z, FQA3N100, IRFP460LC
