IXTP36P15 是由 IXYS 公司生产的一款功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高电压应用。该器件采用 TO-247 封装,具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优点,适用于电源转换器、电机驱动、DC-DC 转换器以及各种功率控制设备中。
类型:MOSFET(N沟道)
最大漏极电流(Id):36A
最大漏源电压(Vds):150V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):≤55mΩ
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
IXTP36P15 具有优异的导通和开关性能,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用了先进的平面技术,确保了高稳定性和耐久性。
此外,IXTP36P15 具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,并具备较强的过载和短路承受能力,适用于高可靠性系统设计。
该 MOSFET 的高速开关特性使其适用于高频开关电源和电机控制应用,减少了开关损耗并提高了系统响应速度。其 TO-247 封装提供了良好的散热性能,适合大电流应用环境。
此外,IXTP36P15 还具备低门极电荷(Qg)特性,有助于减少驱动损耗,提高整体效率。这种特性使其在电源管理和功率转换系统中具有广泛的应用潜力。
IXTP36P15 广泛应用于各种高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化控制设备。
在新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中,IXTP36P15 也常被用作主功率开关器件,以实现高效的能量转换。
此外,该器件还可用于音频放大器、UPS(不间断电源)系统以及各类高功率LED照明控制电路中。
IRF3710, STP36NF06, FDP3630, SiHF36N150DD