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IXTP36N30T 发布时间 时间:2025/8/6 5:05:00 查看 阅读:15

IXTP36N30T 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件设计用于在高电压和大电流条件下提供卓越的性能,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适合在电源转换器、电机控制、电池管理系统以及其他高功率电子设备中使用。

参数

漏源电压 Vds:300V
  漏极电流 Id(最大):36A
  导通电阻 Rds(on):85mΩ(最大)
  栅极电压 Vgs:±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247AC
  功率耗散:200W
  漏极雪崩能量:1.2J

特性

IXTP36N30T 具备多项优越特性,使其在高功率应用中表现优异。首先,其低导通电阻(Rds(on))减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。其次,该器件的高耐压能力(Vds 为 300V)使其能够承受较高的电压应力,适用于各种高电压操作环境。此外,其大电流承载能力(Id 为 36A)使其适合在高电流负载条件下使用。
  该 MOSFET 还具有优异的热稳定性,能够在极端温度条件下正常运行(工作温度范围从 -55°C 到 +175°C)。其高功率耗散能力(200W)有助于在高负载应用中保持稳定性能,而不会因过热而导致性能下降或损坏。此外,该器件具有较高的雪崩能量耐受能力(1.2J),在发生过压或瞬态事件时提供额外的保护,从而提高系统的可靠性和寿命。
  采用 TO-247AC 封装,IXTP36N30T 提供了良好的散热性能和机械稳定性,适用于各种 PCB 安装需求。此外,其快速的开关速度减少了开关损耗,使其在高频应用中表现优异,例如开关电源(SMPS)、逆变器和电机控制电路。

应用

IXTP36N30T 适用于多种高功率电子系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、交流-直流电源适配器、电池管理系统、不间断电源(UPS)、电机驱动器、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和大电流能力,该器件在高电压电源转换和高功率负载控制中表现出色,同时也适合在恶劣工作环境下使用,如工业设备和汽车电子系统。

替代型号

IXTP32N30T, IRFP460, STP36NF06, FDPF36N30

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IXTP36N30T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHT™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C36A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2250pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件