时间：2025/8/6 4:07:07
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IXTP340N04T4是一款由Infineon Technologies（英飞凌）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门设计用于高电流和高效率的应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于电源管理和功率转换系统。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压（VDS）：40V
最大连续漏极电流（ID）：180A
导通电阻（RDS(on)）：3.4mΩ（最大值，典型值可能会更低）
栅极电荷（Qg）：78nC
工作温度范围：-55°C至175°C
IXTP340N04T4的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有高电流处理能力，能够在高负载条件下稳定工作。其先进的沟槽技术还提供了卓越的热性能，确保在高温环境下仍能保持良好的性能。
该MOSFET还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。其高可靠性和长寿命设计使其成为工业和汽车应用的理想选择。
IXTP340N04T4广泛应用于各种高功率电子设备中，包括电源供应器、DC-DC转换器、电机控制器和电池管理系统。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动车辆的功率管理系统以及各种高电流需求的控制系统。
IXTP340N04T4
