时间：2025/8/6 10:38:07
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IXTP2R4N50P是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率开关和电源转换应用。该器件采用TO-247封装，具备较高的电流承载能力和优异的热性能。其设计适用于工业电源、逆变器、DC-DC转换器以及电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：2.4Ω
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
IXTP2R4N50P具有低导通电阻（Rds(on)）特性，使其在导通状态下损耗更低，提高系统效率。该器件还具备出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。此外，其高耐压能力（500V）使其适用于多种高电压应用场合。
该MOSFET采用了先进的平面技术，提供了较高的短路耐受能力，增强了系统的可靠性。其TO-247封装不仅有助于良好的散热，还便于安装在散热器上，提升整体热管理能力。
另外，IXTP2R4N50P的栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。同时，其坚固的结构和良好的抗冲击能力，使其在工业环境中具有较长的使用寿命。
IXTP2R4N50P常用于各类电源转换系统，如AC-DC电源、DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。此外，该器件也广泛应用于电机驱动、逆变器、UPS不间断电源以及焊接设备等高功率电子系统中。其高电压和中等电流特性使其成为中功率工业和消费类应用的理想选择。
STP8NM50N, IRFP460LC, FDPF4N50
