时间：2025/8/6 10:41:40
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IXTP2N80是一款由IXYS公司生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高电压应用。该器件具有较高的击穿电压能力，适合用于电源转换、电机控制和工业自动化等要求高可靠性和高效率的场合。
类型：MOSFET
结构：N沟道
漏源电压（VDS）：800V
漏极电流（ID）：2.5A
栅极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约1.5Ω
功率耗散（PD）：40W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
IXTP2N80具有较高的漏源击穿电压（800V），能够承受较大的电压应力，适用于高压电源转换系统。
该器件的栅极电压范围为±30V，具有良好的栅极稳定性，可防止因过电压而引起的损坏。
其导通电阻约为1.5Ω，能够在中高功率应用中提供较低的导通损耗，提高系统效率。
采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适用于多种工业级应用环境。
此外，IXTP2N80具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，提升整体系统性能。
IXTP2N80广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、照明控制系统、工业自动化设备和高电压功率开关电路等场景。
由于其高耐压特性，该器件特别适用于需要800V工作电压的电力电子变换器和逆变器系统。
在电机控制和工业驱动系统中，IXTP2N80可作为高效功率开关，用于控制电机的速度和方向。
此外，该MOSFET也可用于LED照明电源和高功率LED驱动系统，提供稳定的功率控制。
STP2N80K5, IRF80N08D2, FQP8N80C
