时间：2025/8/6 10:31:02
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IXTP2N65X2是一款N沟道增强型功率MOSFET，由英飞凌（Infineon）公司生产。该器件采用先进的CoolMOS?技术，具有低导通电阻和高开关性能的特点，适用于各种高效率电源转换应用。该MOSFET具有较高的电压和电流承受能力，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池充电器等场合。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：650V
最大漏极电流（ID）：2.2A
导通电阻（RDS(on)）：1.15Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：37nC（典型值）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
IXTP2N65X2的核心特性在于其基于CoolMOS技术的高性能表现。首先，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该MOSFET的开关特性优异，具备较低的开关损耗，从而可以在高频工作条件下保持高效率。其次，该器件的耐压能力较高，最大漏源电压达到650V，能够承受较大的电压应力，适用于高压应用环境。
另一个重要特性是该MOSFET的热性能良好，能够在高温环境下稳定工作。TO-220封装设计有助于散热，提高了器件的可靠性。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于减少驱动电路的功耗，同时加快开关速度。这些特性使IXTP2N65X2成为高效率电源转换设备的理想选择。
IXTP2N65X2广泛应用于各种高效率电力电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电池充电器、光伏逆变器、电机控制以及照明设备等。其高耐压和低导通电阻的特性使其特别适用于需要高压操作和高效能转换的场合。
IXTP2N65X2KSA1, STF2N65M2, FQP12N65C
