型号：IXTP1R4N60P
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：1.4 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：5.6 A
　　最大功耗（PD）：50 W
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：1.4 Ω
　　阈值电压（VGS(th) min）：3 V
　　阈值电压（VGS(th) max）：5 V
　　输入电容（Ciss）：570 pF
　　输出电容（Coss）：180 pF
　　反向传输电容（Crss）：8 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：35 ns
　　上升时间（tr）：110 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：55 ns
　　下降时间（tf）：40 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-220

IXTP1R4N60P具备出色的高压阻断能力，其600V的漏源击穿电压确保了在高电压环境下稳定运行，适用于离线式开关电源等直接连接交流电网的应用场景。该器件采用了优化的平面垂直结构，实现了较低的导通电阻，典型值在1.4Ω左右，这有效降低了在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。
　　其栅极电荷量较小，输入电容仅为570pF，使得驱动电路设计更加简单，减少了驱动损耗，并加快了开关速度，从而支持更高的开关频率操作。这对于减小磁性元件体积、提升电源功率密度至关重要。同时，输出电容和反向传输电容（Crss）也保持在较低水平，有助于减少开关过程中的能量损耗和串扰，提升高频工作的稳定性。
　　该MOSFET具有良好的热性能，TO-220封装提供了较大的散热面积，允许通过外接散热片进一步增强散热能力，确保长时间高负载运行下的可靠性。器件的最大功耗可达50W，结温范围从-55°C到+150°C，表现出优秀的宽温区适应能力，可在极端环境温度下正常工作。
　　IXTP1R4N60P还具备较强的雪崩耐量能力，在非钳位电感开关测试（UIS）条件下可承受一定的重复性雪崩能量，增强了在电机启动、短路或突波干扰等异常工况下的生存能力。这一特性对于提高系统鲁棒性至关重要，尤其在工业控制和电机驱动应用中尤为重要。
　　此外，该器件具有良好的抗di/dt和dv/dt能力，能够在快速开关过程中抑制寄生振荡和误触发，保证系统运行的稳定性。其栅源电压容限高达±30V，为实际应用中的驱动电路设计提供了更大的安全裕度，防止因电压尖峰导致的栅极损坏。

IXTP1R4N60P广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，如AC-DC适配器、工业用开关模式电源（SMPS），尤其是在需要高电压输入和高效能转换的场合表现突出。它也常用于DC-DC升压或降压转换器中作为主开关管，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。
　　在逆变器系统中，例如太阳能逆变器或UPS不间断电源，该MOSFET可用于直流侧的斩波或初级侧开关，实现高效的能量转换与控制。其高耐压特性使其非常适合处理来自光伏阵列或电池组的高直流电压。
　　此外，IXTP1R4N60P还可用于电机驱动电路，特别是在小功率通用电机或步进电机的驱动模块中，作为功率开关元件提供精确的电流控制。其良好的热稳定性和过载承受能力保障了电机启停过程中的可靠性。
　　在电子镇流器和高强度放电灯（HID）照明系统中，该器件可用于高频逆变电路，实现灯管的高效点亮与调光控制。其快速响应能力和高耐压特性有助于延长灯具寿命并提升光效。
　　其他应用还包括充电器、焊接设备、感应加热装置以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其封装成熟、性能稳定，IXTP1R4N60P成为许多工程师在中等电流、高电压开关应用中的首选器件之一。

IXFH1R4N60P
　　IXTH1R4N60P
　　STP1NC60FP
　　FQP1N60L