时间：2025/8/6 0:40:08
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IXTP1N100D是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件专为高电压、高频率开关应用设计，适用于各种电源转换和功率控制设备。IXTP1N100D采用了先进的制造工艺，具有优异的开关性能和低导通电阻特性，使其在高效率和高可靠性要求的应用中表现出色。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：1.0A
最大漏源电压（VDS）：1000V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约2.0Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220AB
IXTP1N100D的主要特性之一是其高耐压能力，能够在高达1000V的漏源电压下稳定工作，这使其适用于高电压电源转换器和高压负载开关应用。该MOSFET的低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率，同时降低工作温度，提高可靠性。
此外，IXTP1N100D具有快速开关特性，支持高频操作，适用于需要高开关速度的DC-DC转换器、逆变器和电源管理系统。其封装形式为TO-220AB，便于安装和散热管理，适合在紧凑型设计中使用。
IXTP1N100D广泛应用于各种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、高压直流转换器、电机驱动器、电池管理系统、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统。其高耐压和低导通电阻特性也使其适合用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及高频电源转换器中。
IXTP1N100D的替代型号包括IXTP1N100A、IXTP1N100B和IXTP1N100C，这些型号在电气特性和封装形式上相似，可根据具体应用需求进行选择。
