型号：IXTP16N50P
　　制造商：IXYS（现属于Littelfuse）
　　器件类型：N沟道功率MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：16 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：64 A
　　功耗（Pd）：200 W
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.33 Ω（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V 典型值：0.27 Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：4 V（典型值），范围3~5 V
　　输入电容（Ciss）：1300 pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：280 pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：56 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-247

IXTP16N50P具备优异的电气与热性能，能够满足高功率开关应用的需求。其核心优势之一是低导通电阻，在Vgs=10V时最大仅为0.33Ω，显著降低了在高电流条件下的I2R损耗，提升了电源系统的整体效率。这一特性使其特别适用于持续大电流工作的场景，如大功率AC-DC整流后级开关或DC-DC升压/降压拓扑结构。
　　该器件采用了先进的平面栅极工艺，确保了良好的均匀性和一致性，同时提高了器件的耐用性与抗应力能力。其高达500V的漏源击穿电压允许其应用于高压母线系统中，例如工业电源、太阳能逆变器或焊接设备，即使在电网波动或瞬态过压情况下也能保持安全运行。此外，该MOSFET具有较强的雪崩能量承受能力，意味着在发生非钳位电感开关事件（UIS）时，器件可以在不损坏的情况下吸收一定的能量，增强了系统鲁棒性。
　　快速开关特性是另一个关键优点。得益于较低的输入和输出电容（Ciss=1300pF, Coss=280pF），该器件在高频开关应用中表现出色，可有效减少开关延迟和过渡损耗，支持数十kHz至百kHz级别的PWM控制。这对于现代高效开关电源设计至关重要，尤其是在追求小型化和高功率密度的趋势下。
　　内置的反并联快速恢复体二极管进一步增强了其在感性负载环境中的适用性，例如电机驱动或变压器耦合电路中，能够在关断期间提供可靠的续流通路，避免电压尖峰对器件造成损害。同时，该二极管具有较短的反向恢复时间（trr=56ns），有助于降低反向恢复引起的浪涌电流和电磁干扰（EMI）。
　　TO-247封装提供了优良的热传导路径，便于将热量传递至外部散热器，确保长时间高负载运行时结温处于安全范围内。其宽广的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在极端温度环境中使用，包括户外设备或高温工业现场。综合来看，IXTP16N50P是一款兼具高性能、高可靠性和良好热管理能力的功率MOSFET，适合多种严苛应用场合。

IXTP16N50P广泛应用于各类高电压、大电流的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在大功率服务器电源、通信电源和工业电源模块中作为主开关器件，利用其高耐压和低导通损耗实现高效能量转换。在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥拓扑结构，尤其适用于输入电压较高的应用场景，如48V转12V系统或光伏储能系统中的中间级变换。
　　在逆变器系统中，IXTP16N50P常用于单相或三相H桥电路中作为开关元件，用于将直流电转换为交流电，典型应用包括太阳能微型逆变器、不间断电源（UPS）和应急照明系统。其快速开关能力和良好的热稳定性保证了在高频调制下的稳定输出波形质量。
　　此外，该器件也适用于电机驱动领域，尤其是中小功率的交流电机或直流无刷电机控制器中，作为功率桥臂的一部分执行PWM调速功能。由于其具备较强的抗浪涌电流能力，可在启动瞬间承受较大的冲击电流而不损坏。
　　其他应用还包括电子镇流器、感应加热设备、电焊机电源、激光电源模块以及高电压脉冲发生器等。在这些应用中，IXTP16N50P凭借其高击穿电压、低Rds(on)和良好的动态响应特性，展现出卓越的性能表现。由于其工业级品质和可靠性，该器件也被广泛用于要求长寿命和高可用性的关键系统中。

STP16NF50
　　IRFP460LC
　　FQP16N50
　　SPW20N50C3