型号：IXTP14N60PM
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-247
　　极性：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：600V
　　连续漏极电流(Id)：14A
　　脉冲漏极电流(Idm)：56A
　　功耗(Pd)：209W
　　导通电阻(RDS(on))：典型值0.38Ω，最大值0.44Ω
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
　　输入电容(Ciss)：1300pF @ Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz
　　输出电荷(Qoss)：47nC @ Vds=480V
　　开启延迟时间(Td(on))：35ns
　　关断延迟时间(Td(off))：65ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

IXTP14N60PM具备多项优异的电气与物理特性，使其在高电压、高功率应用场景中表现卓越。首先，其600V的高漏源击穿电压允许该器件用于多种中高压电源系统中，例如AC-DC转换器、DC-DC变换器及光伏逆变器等，能够承受瞬态过压冲击而保持稳定运行。其次，该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）典型值仅为0.38Ω，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效，尤其在大电流条件下优势更为明显。
　　该器件具有较低的总栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这意味着在高频开关应用中可以实现更快的开关速度和更低的开关损耗，从而提高整个电源系统的转换效率并减少对散热系统的要求。此外，其输入电容（Ciss）为1300pF，在1MHz测试频率下仍保持良好响应特性，适用于高频PWM控制电路。
　　IXTP14N60PM还具备出色的热稳定性和长期可靠性。TO-247封装提供了优良的热传导路径，使得结到外壳的热阻（RthJC）较低，有利于热量快速散发。这不仅延长了器件寿命，也提高了系统在恶劣环境下的运行稳定性。器件的工作结温范围可达-55°C至+150°C，适应极端温度变化的应用场合。
　　另一个关键特性是其内置的快速恢复体二极管，能够在感性负载切换过程中提供可靠的续流通道，避免电压尖峰损坏其他元件。该体二极管具有较低的反向恢复时间（trr）和软恢复特性，减少了电磁干扰（EMI）问题，提高了系统EMC性能。
　　此外，IXTP14N60PM具有良好的抗雪崩能量能力，意味着即使在遭遇意外过压或短路事件时也能维持结构完整性，防止永久性损坏。这种坚固的设计使其非常适合用于工业级和严苛环境中的电力电子设备。最后，该器件符合RoHS指令要求，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环保的高标准要求。

IXTP14N60PM广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，常用于PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑结构中，特别是在300W至2kW范围内的电源设计中表现出色。由于其高电压耐受能力和低导通损耗，非常适合用于离线式电源适配器、服务器电源和通信电源模块。
　　在可再生能源系统中，该器件被广泛用于太阳能并网逆变器和储能系统中的DC-AC转换环节，承担能量转换的核心开关功能。其高频开关特性有助于提升逆变效率，并减小滤波元件体积，从而实现更高功率密度的设计。
　　在工业控制方面，IXTP14N60PM可用于电机驱动器、变频器和软启动器等设备中，作为功率开关元件控制交流或直流电机的启停与调速。其高dv/dt耐受能力和抗干扰性能保证了在复杂电磁环境中稳定运行。
　　此外，该MOSFET还可用于感应加热设备、电焊机、UPS不间断电源以及高压LED驱动电源等场合。在这些应用中，它不仅能承受高电压应力，还能通过高效的开关动作减少发热，提升整机可靠性。凭借其坚固的封装和宽泛的温度工作范围，IXTP14N60PM也适用于户外或工业现场等恶劣环境下的长期运行。

STP14N60M2
　　FQP14N60C
　　K2173