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IXTP140P05 发布时间 时间:2025/8/6 0:37:46 查看 阅读:9

IXTP140P05是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供优异的导通和开关性能,适用于电源转换、电机控制、UPS系统和工业自动化等场景。IXTP140P05为P沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关速度的特点。

参数

类型:P沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大漏极电流(Id):14A(在Tc=25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.35Ω,最大值0.45Ω(在Vgs=-10V时)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):-2.0V至-4.0V
  最大栅极电压(Vgs):±20V
  最大功耗(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247AC

特性

IXTP140P05采用了先进的沟槽式技术,使得其在高电压和大电流条件下仍能保持较低的导通压降,从而减少功率损耗并提高系统效率。该器件的低导通电阻(Rds(on))使其在高电流应用中表现出色,同时其高耐压能力(500V Vds)确保其在高压环境中稳定运行。
  此外,IXTP140P05具有优异的热稳定性和抗雪崩能力,能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高系统响应速度。该MOSFET的栅极驱动要求较低,易于与常见的驱动电路匹配,从而简化了设计流程。
  该器件还具备良好的短路耐受能力,适用于需要频繁切换或负载变化较大的应用场合。TO-247AC封装形式提供了良好的散热性能,确保长时间运行的稳定性。

应用

IXTP140P05广泛应用于各种高功率电子系统中,包括工业电源、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电机驱动器、照明控制系统和功率因数校正(PFC)电路等。其高电压和中等电流能力使其特别适合用于高压直流电源转换系统和工业自动化设备中的功率开关电路。此外,该MOSFET也可用于电池管理系统和电能质量控制设备中。

替代型号

IXTP140P05可替代的型号包括STP140P05和SPW140P05。这些器件在参数和封装上具有高度的兼容性,适合在相同的应用场景中使用。

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