时间：2025/8/6 2:43:39
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IXTP140N12T2是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET晶体管。这款MOSFET设计用于高电压和高电流应用，具有优异的导通和开关性能，适用于工业电源、电机控制、逆变器和电源转换系统等高要求的电子设备。IXTP140N12T2采用TO-247封装，具备良好的热管理和高可靠性，适合在苛刻的工作环境下运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大漏极电流(Id)：140A
导通电阻(Rds(on))：约0.016Ω（典型值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：约5V
最大栅极电压(Vgs(max))：±20V
最大功耗(Pd)：约500W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXTP140N12T2是一款高性能的功率MOSFET，具有出色的导通和开关特性，能够处理高达1200V的漏源电压和140A的漏极电流。其低导通电阻（Rds(on)）约为0.016Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较低的栅极电荷和输出电容，使得开关损耗更低，从而提高整体性能并减少散热需求。
该MOSFET的栅极阈值电压约为5V，确保在常见的驱动电路中能够稳定工作。同时，其栅极电压耐受范围为±20V，提供了一定的过压保护能力。IXTP140N12T2采用了先进的制造工艺，确保了器件在高温下的稳定性和可靠性，适合在-55°C至150°C的温度范围内运行。
此外，IXTP140N12T2采用了TO-247封装，具有良好的热管理能力，有助于在高功率应用中有效地散热。这种封装形式也便于安装在散热器上，以提高系统的热效率。由于其高可靠性和优良的电气性能，该器件广泛应用于工业电源、电机驱动、UPS系统、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等领域。
IXTP140N12T2广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中。典型的应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、电机控制驱动器、逆变器、开关电源（SMPS）以及太阳能和风能发电系统中的功率转换模块。此外，它也适用于电动汽车充电设备、电池管理系统以及高功率LED照明驱动器等应用。
IXTP140N12T2H, IXFN140N120, FF140R12KS4_B11
