类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：130A
　　最大漏源电压（VDS）：150V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：11mΩ（最大）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

IXTP130N15X4A具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够实现较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的高耐压能力使其能够承受较高的电压应力，适用于高压应用。此外，其高栅极电荷（Qg）设计优化了开关性能，使得该MOSFET在高频开关应用中表现优异。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保长时间运行的可靠性。其封装设计（TO-247）便于散热，并且兼容多种散热器安装方式，适合工业级应用需求。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许在不同的驱动条件下保持良好的性能。它还具有较强的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护，防止器件损坏。

IXTP130N15X4A广泛应用于各种高功率电子设备中，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电池管理系统等。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效电源转换系统的理想选择。
　　在电机控制应用中，该MOSFET可用于驱动大功率直流电机或无刷直流电机（BLDC），提供高效的功率输出并减少能量损耗。在电池管理系统中，它可用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。
　　在工业自动化和控制系统中，IXTP130N15X4A可以作为高功率开关，控制大电流负载，如加热元件、电磁阀和大功率LED照明系统。其高可靠性和热稳定性也使其适用于恶劣的工业环境。

IRFP4468, IXTP140N15X4A, IPP130N15N3G, IPU65R950CE