时间：2025/8/5 13:37:22
阅读：12
IXTP130N10T 是一款由 IXYS 公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件采用TO-247封装，具备良好的热性能和高电流承载能力。IXTP130N10T 通常用于电源转换器、电机控制、不间断电源（UPS）、电池充电器等电力电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：130A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大7.5mΩ
最大栅源电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：300W
IXTP130N10T MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其高电流承载能力和低热阻特性使得该器件能够在高功率密度应用中可靠运行。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸。器件的栅极设计优化，提供稳定的开关性能，并具有较高的抗dv/dt能力，减少误导通的风险。TO-247封装提供了良好的散热性能，适合安装在散热器上以提高热管理效率。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在恶劣工作条件下的耐用性。
IXTP130N10T MOSFET广泛应用于各种电力电子系统中，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动器、逆变器、太阳能逆变器和工业自动化控制系统。其高效率和高可靠性使其成为高性能电源管理解决方案的理想选择。
IXTP140N10T, IXTP120N10T, IRFP4468PBF, IPP130N10N3G
