IXTP12N50X2 时间：2025/8/6 1:32:10 阅读：11

IXTP12N50X2是一款由Infineon Technologies生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效能开关操作的电源管理应用中。这款MOSFET采用了先进的技术，提供了卓越的性能和可靠性，适用于多种工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.42Ω
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极电荷（Qg）：典型值22nC
　　功耗（Ptot）：125W

特性

IXTP12N50X2是一款专为高效率电源转换应用设计的功率MOSFET。其主要特性包括高耐压能力（500V）和较高的连续漏极电流（12A），使其适用于需要高功率处理能力的场合。该器件的导通电阻较低，典型值为0.42Ω，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，IXTP12N50X2的封装形式为TO-220，这种封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适合在多种环境条件下工作。
　　该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保了其在极端温度条件下的稳定性和可靠性。栅极电荷（Qg）典型值为22nC，这有助于降低开关损耗，提高开关速度。同时，其125W的功耗能力进一步增强了其在高功率应用中的适用性。
　　IXTP12N50X2的这些特性使其成为一种高效、可靠的功率管理解决方案。无论是在电源适配器、电池充电器还是其他高功率设备中，它都能提供出色的性能。此外，由于其出色的热性能和电气特性，IXTP12N50X2可以在高负载条件下保持稳定运行，减少过热和损坏的风险。