类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：55V
　　漏极电流 Id（最大）：110A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 4.2mΩ（典型值 3.6mΩ）
　　栅极电荷 Qg：140nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

IXTP110N055T2 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力和出色的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
　　该 MOSFET 采用了先进的沟槽式技术，使得其在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗。其栅极电荷（Qg）为 140nC，在同类产品中具有竞争力，能够支持快速开关操作。
　　IXTP110N055T2 还具有较高的耐用性和可靠性，适用于各种工业和汽车应用。其 TO-220 封装形式便于安装和散热管理，同时提供了良好的机械强度和电气绝缘性能。
　　由于其出色的性能参数和稳定性，该器件广泛应用于电源管理系统、电机驱动器、DC-DC 转换器以及电池管理系统中。

IXTP110N055T2 主要用于需要高效功率转换和高可靠性的应用场合，例如服务器电源、电信电源系统、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和电机控制模块。
　　在电源管理领域，该 MOSFET 可用于同步整流、负载开关和功率因数校正电路，提升整体能效。在电机驱动应用中，其高电流能力和快速开关特性有助于实现精确的速度控制和高效的能量传输。
　　此外，IXTP110N055T2 也适用于新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统，能够在恶劣环境下提供稳定的性能。

IRF1405, IRLB8721, IXTH110N055T2