IXTN61N50 时间：2025/8/6 6:50:42 阅读：32

IXTN61N50是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛用于各种高功率开关应用。这款MOSFET采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于需要高效能和可靠性的电路设计。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：61A
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTN61N50具备多个显著特点，使其成为许多功率电子设计的理想选择。首先，其低导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件能够承受高达500V的漏源电压，适用于多种高压应用环境。
　　此外，IXTN61N50的封装形式为TO-247，这种封装不仅提供了良好的热管理和散热性能，还便于在印刷电路板(PCB)上安装和焊接。其高栅极电压耐受能力（±20V）允许使用多种栅极驱动电路设计，增加了设计灵活性。
　　该MOSFET的高电流处理能力（最大连续漏极电流为61A）使其能够在高负载条件下稳定工作，适用于如DC-DC转换器、电机控制器和电源管理模块等应用。同时，IXTN61N50的工作温度范围较宽（-55°C至+150°C），能够在极端环境条件下保持良好的性能和可靠性。

应用

IXTN61N50适用于多种高功率电子系统设计，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。其典型应用包括开关电源(SMPS)、逆变器、DC-AC转换器、电机驱动器以及各种类型的工业自动化设备。此外，该器件也可用于电池管理系统、充电器和太阳能逆变器等新能源相关设备中，以提高系统的能效和稳定性。
　　由于其优异的电气特性和热性能，IXTN61N50还可用于高频开关电路中，帮助减少磁性元件的尺寸并提升整体系统的功率密度。对于需要高效率和高可靠性的现代电力电子设备来说，IXTN61N50是一个非常合适的选择。