IXTN44N50 时间：2025/8/6 1:12:29 阅读：30

IXTN44N50 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压和高电流应用。该器件具备优良的热稳定性和低导通电阻特性，使其在电力电子转换系统中表现出色。IXTN44N50 适用于各种电源管理、电机控制、逆变器和 DC-DC 转换器等应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：44A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为 0.14 欧姆
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(Pd)：208W

特性

IXTN44N50 MOSFET 具备多项出色的电气和热性能特点。其最大漏源电压为 500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境。连续漏极电流可达 44A，使得该器件在高功率应用中表现优异。导通电阻 Rds(on) 的典型值为 0.14 欧姆，降低了导通损耗，提高了系统的效率。
　　此外，该 MOSFET 的栅源电压范围为 ±30V，具备较高的栅极驱动灵活性和稳定性。器件采用了先进的平面技术，提供了良好的热管理和耐久性。TO-247 封装形式不仅便于安装，还具备优良的散热性能。
　　IXTN44N50 还具备快速开关能力，减少了开关损耗，并提高了系统的响应速度。这些特性使其成为电源转换、工业电机控制、UPS（不间断电源）系统以及太阳能逆变器等应用的理想选择。

应用

IXTN44N50 主要用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电机驱动器、电动工具控制、电池充电器以及各种工业自动化设备。
　　在太阳能逆变器中，IXTN44N50 可用于将直流电转换为交流电，提供稳定的电力输出。在 UPS 系统中，该 MOSFET 可用于高效的电源切换和能量管理。由于其高可靠性和低导通损耗，IXTN44N50 也广泛应用于高频电源转换系统中，如谐振转换器和 ZVS（零电压开关）拓扑结构。
　　此外，该器件还可用于电动车辆和储能系统的电源管理模块，提供高效的能量转换和控制能力。